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榮耀7深陷“耗電門” 華為再推榮耀7i手機

發表時間:2015-08-20      點擊量:8412      來源:家電中國網
據業內人士透露,于今年6月30日上市的榮耀7手機,因為采用的華為海思芯片使用的是2009年的威盛55納米工藝老舊基帶,導致榮耀7在硬件上有了缺陷,這種缺陷是無法用軟件升級來彌補的。

        在推出2015年旗艦手機榮耀7僅一個月后,今天,華為推出了榮耀7的升級版旗艦手機,主打時尚拍照的榮耀7i。對此,有業內人士指出,榮耀一改半年才推出旗艦機的節奏,在推出年度旗艦手機榮耀7后急推出7i,意在用7i取代耗電嚴重的榮耀7手機。 

  據業內人士透露,于今年6月30日上市的榮耀7手機,因為采用的華為海思芯片使用的是2009年的威盛55納米工藝老舊基帶,導致榮耀7在硬件上有了缺陷,這種缺陷是無法用軟件升級來彌補的。

  據了解,目前芯片產業的制造工藝已經進入到14納米,國內的聯芯生產的芯片也是采用的28納米工藝。09年的55納米工藝放現在來用肯定是存在各種各樣的問題的,而且55納米工藝的芯片相比14納米工藝的芯片在功耗發熱都是數倍之多,再加上兼容性問題,出現嚴重的發熱跟異常耗電也是十分正常的現象。

  “如果說早期的華為手機因為采用其他廠商的CPU和基帶的,自己不方便投入人力物力去改良其功耗,那么之后采用自家海思處理器還不愿意改良就算是不負責任了。說到底榮耀7耗電門就是華為為了節約成本,實現利潤最大化的結果。”該人士說,由威盛芯片引發的手機“耗電門”事件讓華為品牌形象嚴重受損,面對消費者的投訴,華為出于成本上的考慮,不得不推出基于高通驍龍S801芯片方案的榮耀7i來替代榮耀7,以解決手機的異常耗電現象。

  昨天家電消費網登錄互聯網,看到不少消費者投訴榮耀7耗電嚴重,希望華為進行召回。據了解,華為日前承認榮耀7手機存在耗電缺陷,但未出臺解決方案。

  “但愿改良后的榮耀7i手機不再有消費者投訴嚴重的耗電快問題。” 該人士還是對榮耀7i充滿了希望。 (來源 家電消費網 杜佳)

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